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Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
70
10
V GS = 15.0V
10.0V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
100
150 C
25 C
1
10
o
o
2. T C = 25 C
0.1
0.02
*Notes:
1. 250 μ s Pulse Test
o
0.1 1 10 15
1
4
*Notes:
1. V DS = 20V
2. 250 μ s Pulse Test
5 6 7
8
V DS ,Drain-Source Voltage[V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
0.36
0.32
0.28
V GS ,Gate-Source Voltage[V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
200
100
150 C
25 C
0.24
V GS = 10V
o
o
10
0.20
V GS = 20V
*Note: T J = 25 C
0.16
0.12
0
20 40 60
o
80
1
0.0
*Notes:
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
0.4 0.8 1.2
1.6
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
5000
4000
C oss
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
*Note:
10
8
V DS = 100V
V DS = 200V
V DS = 320V
1. V GS = 0V
3000
2000
1000
C iss
2. f = 1MHz
6
4
2
C rss
0
0.1
1 10
30
0
0
*Note: I D = 23A
10 20 30 40
50
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q g , Total Gate Charge [nC]
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FDA24N40F Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
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